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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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SUP90330E-GE3 PDF資料
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- 制造商：Vishay / Siliconix
- PDF文件大?。?.28 Mbytes
- PDF文件頁數(shù)：共7頁
- 描述：MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
SUP90330E-GE3技術規(guī)格
- 制造商:Vishay
- 產品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術:Si
- 安裝風格:Through Hole
- 封裝 / 箱體:TO-220AB-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
- Id-連續(xù)漏極電流:35.8 A
- Rds On-漏源導通電阻:31.2 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- Qg-柵極電荷:32 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 175 C
- Pd-功率耗散:125 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標名:ThunderFET
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 商標:Vishay / Siliconix
- 正向跨導 - 最小值:28 S
- 下降時間:22 ns
- 產品類型:MOSFET
- 上升時間:25 ns
- 工廠包裝數(shù)量:1
- 子類別:MOSFETs
- 典型關閉延遲時間:30 ns
- 典型接通延遲時間:12 ns
- 單位重量:1.800 g
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