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- 庫(kù)存數(shù)量
- 備注
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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RH6P040BHTB1 PDF資料
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- 制造商：Rohm Semiconductor
- PDF文件大小：2.75 Mbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共13頁(yè)
- 描述：表面貼裝型 N 通道 100 V 40A（Tc） 59W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
RH6P040BHTB1技術(shù)規(guī)格
- 制造商Rohm Semiconductor
- 系列-
- 包裝卷帶（TR）
- FET 類型N 通道
- 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）100 V
- 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)40A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
- 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）15.6 毫歐 @ 40A， 10V
- 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）16.7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）±20V
- 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）1080 pF @ 50 V
- FET 功能-
- 功率耗散（最大值）59W（Tc）
- 工作溫度150°C（TJ）
- 安裝類型表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝8-HSMT（3.2x3）
- 封裝/外殼8-PowerVDFN
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
RH6P040BHTB1相關(guān)型號(hào)
