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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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PTFB093608FV-V3-R0 PDF資料
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- 制造商：Wolfspeed / Cree
- PDF文件大?。?68.79 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共3頁
- 描述：射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 RF LDMOS FET
PTFB093608FV-V3-R0技術規(guī)格
- 制造商:Cree, Inc.
- 產品種類:射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
- RoHS:是
- 晶體管極性:Dual N-Channel
- 技術:Si
- Vds-漏源極擊穿電壓:65 V
- Rds On-漏源導通電阻:50 mOhms
- 增益:19 dB
- 輸出功率:360 W
- 最大工作溫度:+ 225 C
- 安裝風格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:H-37275G-6/2
- 封裝:Reel
- 工作頻率:920 MHz to 960 MHz
- 類型:RF Power MOSFET
- 商標:Wolfspeed / Cree
- 通道數(shù)量:2 Channel
- 產品類型:RF MOSFET Transistors
- 工廠包裝數(shù)量:50
- 子類別:MOSFETs
- Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
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