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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
14年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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NVMFS5C460NLT1G PDF資料
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- 制造商:ONSEMI[ON Semiconductor]
- PDF文件大?。?29.39 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共6頁
- 描述:Power MOSFET
NVMFS5C460NLT1G技術(shù)規(guī)格
- FET 類型:N 溝道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):40V
- 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):23nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1300pF @ 25V
- 功率耗散(最大值):3.6W(Ta), 50W(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 35A,10V
- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
- 封裝/外殼:8-PowerTDFN
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
購買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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