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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
14年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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MMBT5551 PDF資料
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- 制造商:SECOS[SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]
- PDF文件大?。?31.98 Kbytes
- PDF文件頁數:共3頁
- 描述:General Purpose Transistor
MMBT5551技術規(guī)格
- 晶體管類型:NPN
- 最大直流集電極電流:600 mA
- 最大集電極-發(fā)射極電壓:160 V
- 封裝類型:SOT-23
- 安裝類型:表面貼裝
- 最大功率耗散:350 mW
- 最小直流電流增益:30
- 晶體管配置:單
- 最大集電極-基極電壓:180 V
- 最大發(fā)射極-基極電壓:6 V
- 最大工作頻率:300 MHz
- 引腳數目:3
- 每片芯片元件數目:1
- 寬度:1.3mm
- 最低工作溫度:-55 °C
- 最高工作溫度:+150 °C
- 最大集電極-發(fā)射極飽和電壓:0.2 V
- 最大基極-發(fā)射極飽和電壓:1 V
- 長度:2.92mm
- 尺寸:0.93 x 2.92 x 1.3mm
- 高度:0.93mm
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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