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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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MMBF0201N PDF資料
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- 制造商：MOTOROLA[Motorola, Inc]
- PDF文件大小：178.93 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共6頁
- 描述：N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MMBF0201NLT1技術規(guī)格
- 標準包裝：10
- 類別：分立半導體產品
- 家庭：FET - 單
- 系列：-
- 包裝：剪切帶（CT）
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓（Vdss）：20V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：300mA（Ta）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：1 歐姆 @ 300mA，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250µA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：-
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：45pF @ 5V
- 功率 - 最大值：225mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
- 其它名稱：MMBF0201NLT1OSCT
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