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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IXFN66N85X PDF資料
- 資料下載
- 制造商：IXYS[IXYS Corporation]
- PDF文件大?。?34.16 Kbytes
- PDF文件頁數：共5頁
- 描述：Advance Technical Information
IXFN66N85X技術規(guī)格
- 制造商:IXYS
- 產品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術:Si
- 安裝風格:Chassis Mount
- 封裝 / 箱體:SOT-227-4
- 通道數量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:850 V
- Id-連續(xù)漏極電流:65 A
- Rds On-漏源導通電阻:65 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
- Qg-柵極電荷:230 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:830 mW
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標名:HiPerFET
- 封裝:Tube
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 商標:IXYS
- 正向跨導 - 最小值:25 S
- 下降時間:20 ns
- 產品類型:MOSFET
- 上升時間:48 ns
- 工廠包裝數量:10
- 子類別:MOSFETs
- 典型關閉延遲時間:105 ns
- 典型接通延遲時間:40 ns
- 單位重量:30 g
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