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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IRG4RC10SDPBF PDF資料
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- 制造商：IRF[International Rectifier]
- PDF文件大小：353.86 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共11頁(yè)
- 描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4RC10SDPBF技術(shù)規(guī)格
- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：75
- 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭：IGBT - 單路
- 系列：-
- 包裝：管件
- IGBT 類型：-
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）：14A
- 脈沖電流 - 集電極 (Icm)：18A
- 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）：1.8V @ 15V，8A
- 功率 - 最大值：38W
- 開(kāi)關(guān)能量：310µJ（開(kāi)），3.28mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：15nC
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：76ns/815ns
- 測(cè)試條件：480V，8A，100 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：28ns
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝：D-Pak
購(gòu)買(mǎi)、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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