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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IRFHS8342TR2PBF PDF資料
- 資料下載
- 制造商：IRF[International Rectifier]
- PDF文件大?。?63.34 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共9頁
- 描述：HEXFET Power MOSFET
IRFHS8342TR2PBF技術(shù)規(guī)格
- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
- 設(shè)計資源：IRFHS8342TR2PBF Saber Model IRFHS8342TR2PBF Spice Model
- 特色產(chǎn)品：PQFN 2x2
- 標準包裝：1
- 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭：FET - 單
- 系列：HEXFET®
- 包裝：剪切帶（CT）
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓（Vdss）：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：8.8A（Ta），19A（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：16 毫歐 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 25µA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：8.7nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：600pF @ 25V
- 功率 - 最大值：2.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-PowerVQFN
- 供應(yīng)商器件封裝：6-PQFN（2x2）
- 其它名稱：IRFHS8342TR2PBFCT
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