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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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IRF840LCPBF PDF資料
- 資料下載
- 制造商：IRF[International Rectifier]
- PDF文件大?。?93.4 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共8頁
- 描述：HEXFET Power MOSFET
IRF840LCPBF技術(shù)規(guī)格
- FET類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：8A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id時的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
- 不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：39nC @ 10V
- 不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1100pF @ 25V
- Vgs（最大值）：±30V
- 功率耗散（最大值）：125W（Tc）
- 不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：850 毫歐 @ 4.8A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 封裝形式Package：TO-220AB
- 極性Polarity：N-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS：500V
- 連續(xù)漏極電流ID：8A
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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