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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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IRF640S PDF資料
- 資料下載
- 制造商：PHILIPS[NXP Semiconductors]
- PDF文件大?。?5.09 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共9頁(yè)
- 描述：N-channel TrenchMOS transistor
IRF640PBF-BE3技術(shù)規(guī)格
- Series-
- PackageTube
- FET TypeN-Channel
- TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 11A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 10 V
- Vgs (Max)±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1300 pF @ 25 V
- FET Feature-
- Power Dissipation (Max)125W (Tc)
- Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting TypeThrough Hole
- Supplier Device PackageTO-220AB
- Package / CaseTO-220-3
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