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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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IRF640NSTRRPBF PDF資料
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- 制造商：Infineon / IR
- PDF文件大小：337.76 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共11頁(yè)
- 描述：MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC
IRF640NSTRR技術(shù)規(guī)格
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝800
- 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭FET - 單路
- 系列HEXFET®
- FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
- 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C150 毫歐 @ 11A, 10V
- 漏極至源極電壓(Vdss)200V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
- Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
- 閘電荷(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
- 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)1160pF @ 25V
- 功率 - 最大150W
- 安裝類(lèi)型表面貼裝
- 封裝/外殼TO-263-3, D²Pak (2 引線+接片), TO-263AB
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝D2PAK
- 包裝帶卷 (TR)
購(gòu)買(mǎi)、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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