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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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IRF5210LPBF PDF資料
- 資料下載
- 制造商：IRF[International Rectifier]
- PDF文件大?。?96.34 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共10頁
- 描述：HEXFET Power MOSFET
IRF5210LPBF技術(shù)規(guī)格
- 產(chǎn)品培訓模塊：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
- 標準包裝：50
- 類別：分立半導體產(chǎn)品
- 家庭：FET - 單
- 系列：HEXFET®
- 包裝：管件
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓（Vdss）：100V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：38A（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：60 毫歐 @ 38A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：230nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：2780pF @ 25V
- 功率 - 最大值：3.1W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商器件封裝：TO-262
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