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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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IPW60R190C6 PDF資料
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- 制造商：INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF文件大?。?205.84 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共19頁
- 描述：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPW60R190C6技術(shù)規(guī)格
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1400pF @ 100V
- Vgs（最大值）：±20V
- 功率耗散（最大值）：151W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：190 毫歐 @ 9.5A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：PG-TO247-3
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源極電壓（Vdss）：600V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：20.2A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 630μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：63nC @ 10V
- 安裝風(fēng)格：ThroughHole
- 通道數(shù)量：1Channel
- 晶體管極性：N-Channel
- Id-連續(xù)漏極電流：20.2A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：190mOhms
- Vgs - 柵極-源極電壓：20V
- 最小工作溫度：-55C
- 最大工作溫度：+150C
- 配置：Single
- Pd-功率耗散：151W
- 商標(biāo)名：CoolMOS
- 封裝：Tube
- 高度：21.1mm
- 長度：16.13mm
- 系列：CoolMOSC6
- 晶體管類型：1N-Channel
- 寬度：5.21mm
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
購買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
IPW60R190C6相關(guān)型號(hào)
