篩選結(jié)果：供應(yīng)商共有家隨時(shí)為您服務(wù)
- 供應(yīng)商
- 型號(hào)
- 品牌
- 封裝
- 批號(hào)
- 庫存數(shù)量
- 備注
- 詢價(jià)
-
深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
-
-
-
-
-
柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
-
-
-
-
更多收回
IPI65R190CFDXKSA2 PDF資料
- 資料下載
- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大小：3.75 Mbytes
- PDF文件頁數(shù)：共20頁
- 描述：MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
IPI65R190CFDXKSA2技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:Through Hole
- 封裝 / 箱體:TO-262-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
- Id-連續(xù)漏極電流:17.5 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:190 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- Qg-柵極電荷:68 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:151 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標(biāo)名:CoolMOS
- 封裝:Tube
- 系列:CFD2
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 商標(biāo):Infineon Technologies
- 下降時(shí)間:6.4 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:8.4 ns
- 工廠包裝數(shù)量:500
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:53.2 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:12 ns
- 零件號(hào)別名:IPI65R190CFD
購買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
IPI65R190CFDXKSA2相關(guān)型號(hào)
