IPD80R360P7ATMA1技術規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術:Si
- 安裝風格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:DPAK-3
- 通道數量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:800 V
- Id-連續(xù)漏極電流:13 A
- Rds On-漏源導通電阻:310 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- Qg-柵極電荷:30 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:84 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標名:CoolMOS
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:Reel
- 系列:CoolMOS P7
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 商標:Infineon Technologies
- 下降時間:6 ns
- 產品類型:MOSFET
- 上升時間:6 ns
- 工廠包裝數量:2500
- 子類別:MOSFETs
- 典型關閉延遲時間:40 ns
- 典型接通延遲時間:10 ns
- 零件號別名:IPD80R360P7 SP001633516
