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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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- 制造商：Infineon Technologies
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- 描述：MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
IPD65R660CFDATMA2技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:TO-252-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
- Id-連續(xù)漏極電流:6 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:660 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- Qg-柵極電荷:22 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:62.5 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標(biāo)名:CoolMOS
- 封裝:Reel
- 系列:CFD2
- 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
- 商標(biāo):Infineon Technologies
- 下降時(shí)間:10 ns
- 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
- 上升時(shí)間:8 ns
- 工廠(chǎng)包裝數(shù)量:2500
- 子類(lèi)別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:40 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:9 ns
- 零件號(hào)別名:IPD65R660CFD
購(gòu)買(mǎi)、咨詢(xún)產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢(xún)價(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
IPD65R660CFDATMA2相關(guān)型號(hào)
