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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IPB65R660CFD PDF資料
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- 制造商：INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF文件大?。?951.5 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共20頁
- 描述：650V CoolMOS CFD Power Transistor
IPB65R660CFD技術(shù)規(guī)格
- 封裝/外殼：PG-TO263-3
- RoHS：Y
- 技術(shù)：Si
- 安裝風(fēng)格：SMD/SMT
- 通道數(shù)量：1Channel
- 晶體管極性：N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓：650V
- Id-連續(xù)漏極電流：6A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：594mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓：3.5V
- Vgs - 柵極-源極電壓：20V
- Qg-柵極電荷：22nC
- 最小工作溫度：-55C
- 最大工作溫度：+150C
- 配置：Single
- Pd-功率耗散：62.5W
- 通道模式：Enhancement
- 封裝：CutTape
- 高度：4.4mm
- 長度：10mm
- 系列：CoolMOSCFD2
- 晶體管類型：1N-Channel
- 寬度：9.25mm
- 下降時(shí)間：10ns
- MXHTS：85412999
- 上升時(shí)間：8ns
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：40ns
- 典型接通延遲時(shí)間：9ns
- 商標(biāo)名：CoolMOS
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
購買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
IPB65R660CFD相關(guān)型號(hào)
