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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IPB042N03L G PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
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- PDF文件頁數(shù)：共10頁
- 描述：MOSFET N-Ch 30V 70A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB042N03L G技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:TO-263-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
- Id-連續(xù)漏極電流:70 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.2 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:2.2 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- Qg-柵極電荷:18 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 175 C
- Pd-功率耗散:79 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標(biāo)名:OptiMOS
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 高度:4.4 mm
- 長度:10 mm
- 系列:OptiMOS 3
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 寬度:9.25 mm
- 商標(biāo):Infineon Technologies
- 正向跨導(dǎo) - 最小值:87 S
- 下降時間:4.4 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時間:5.6 ns
- 工廠包裝數(shù)量:1000
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時間:28 ns
- 典型接通延遲時間:7.4 ns
- 零件號別名:IPB042N03LGATMA1 IPB42N3LGXT SP000304124
- 單位重量:4 g
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