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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IDT71V256SA10YG PDF資料
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- 制造商：Renesas Electronics America Inc
- PDF文件大小：192.84 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共9頁
- 描述：SRAM - 異步 存儲器 IC 256Kb（32K x 8） 并聯(lián) 10 ns 28-SOJ
IDT71V256SA10YG技術(shù)規(guī)格
- PCN Obsolescence：IDT71V256SA10xx 29/Apr/2013
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：27
- 類別：集成電路 (IC)
- 家庭：存儲器
- 系列：-
- 包裝：管件
- 格式 - 存儲器：RAM
- 存儲器類型：SRAM - 異步
- 存儲容量：256K (32K x 8)
- 速度：10ns
- 接口：并聯(lián)
- 電壓 - 電源：3 V ~ 3.6 V
- 工作溫度：0°C ~ 70°C
- 封裝/外殼：28-BSOJ
- 供應(yīng)商器件封裝：28-SOJ
- 產(chǎn)品目錄頁面：1255 (CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱：71V256SA10YG800-1464800-1464-5800-1464-ND
- ROHS： 無鉛
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