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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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IDT70P3517S233RMI PDF資料
- 資料下載
- 制造商：Renesas Electronics America Inc.
- PDF文件大小：615.85 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共20頁
- 描述：IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA
IDT70P3517S233RMI技術(shù)規(guī)格
- PCN Obsolescence：Multiple Devices 27/Jul/2009
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：3
- 類別：集成電路 (IC)
- 家庭：存儲器
- 系列：-
- 包裝：托盤
- 格式 - 存儲器：RAM
- 存儲器類型：SRAM - 雙端口，同步 QDR II
- 存儲容量：9M（256K x 36）
- 速度：233MHz
- 接口：并聯(lián)
- 電壓 - 電源：1.7 V ~ 1.9 V
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C
- 封裝/外殼：576-BBGA，F(xiàn)CBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：576-FCBGA（25x25）
- 其它名稱：70P3517S233RMI
- ROHS： 含鉛
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IDT70P3517S233RMI相關(guān)型號
