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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IDT6116SA35TPGI PDF資料
- 資料下載
- 制造商：Renesas Electronics America Inc
- PDF文件大小：111.50 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共11頁
- 描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP
IDT6116SA35TPGI技術(shù)規(guī)格
- 存儲器類型：易失
- 存儲器格式：SRAM
- 技術(shù)：SRAM - 異步
- 存儲容量：16Kb （2K x 8）
- 寫周期時間 - 字，頁：35ns
- 訪問時間：35ns
- 存儲器接口：并聯(lián)
- 電壓 - 電源：4.5 V ~ 5.5 V
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：24-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供應(yīng)商器件封裝：24-PDIP
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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