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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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HAT2168N PDF資料
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- 制造商：RENESAS[Renesas Technology Corp]
- PDF文件大小：116.95 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共7頁
- 描述：Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2168HWS-E技術(shù)規(guī)格
- 包裝標(biāo)準(zhǔn)卷帶
- 系列-
- 零件狀態(tài)停產(chǎn)
- FET 類型N 通道
- 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）30A（Ta）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
- 不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）7.9 毫歐 @ 15A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）11nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）±20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）1730pF @ 10V
- FET 功能-
- 功率耗散（最大值）15W（Tc）
- 工作溫度150°C
- 安裝類型表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝5-LFPAK
- 封裝/外殼SC-100，SOT-669
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
HAT2168H-EL-E.相關(guān)型號(hào)
