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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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HAT1020R-EL-E PDF資料
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- 制造商：RENESAS[Renesas Technology Corp]
- PDF文件大?。?9.72 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共7頁
- 描述：Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching
HAT1020R-EL-E技術(shù)規(guī)格
- 連續(xù)漏極電流：5 A
- 柵源電壓（最大值）：?20 V
- 功率耗散：2.5 W
- 安裝：Surface Mount
- 工作溫度范圍：-55C to 150C
- 包裝類型：SOP
- 封裝：Tape and Reel
- 引腳數(shù)：8
- 極性：P
- 類型：Power MOSFET
- 元件數(shù)：1
- 工作溫度分類：Military
- 通道模式：Enhancement
- 漏源導(dǎo)通電壓：30 V
- 弧度硬化：No
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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