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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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FDFMA2P859T PDF資料
- 資料下載
- 制造商：FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]
- PDF文件大?。?95.52 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共8頁
- 描述：Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.0 A, 120 m
FDFMA2P859T技術(shù)規(guī)格
- FET 類型：P 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：3A（Ta）
- 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：6nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：435pF @ 10V
- FET 功能：肖特基二極管（隔離式）
- 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：120 毫歐 @ 3A，4.5V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝：MicroFET 2x2 薄型
- 封裝/外殼：6-UDFN 裸露焊盤
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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