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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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FD600R12KF4NOSA1 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大?。?1.78 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共5頁
- 描述：IGBT MODULE 1200V 600A
FD600R12KF4技術(shù)規(guī)格
- 產(chǎn)品種類：IGBT 模塊
- 產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules
- 配置：Single Dual Emitter Dual Collector
- 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V
- 集電極—射極飽和電壓：2.7 V
- 在25 C的連續(xù)集電極電流：600 A
- 柵極—射極漏泄電流：400 nA
- 功率耗散：3.9 kW
- 最大工作溫度：+ 150 C
- 封裝 / 箱體：IHM130
- 商標(biāo)：Infineon Technologies
- 柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
- 最小工作溫度：- 40 C
- 安裝風(fēng)格：SMD/SMT
- 工廠包裝數(shù)量：8
- ROHS： 含鉛
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
FD600R12IP4DENG相關(guān)型號
