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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
14年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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CSD23202W10 PDF資料
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- 制造商:TI1[Texas Instruments]
- PDF文件大小:440.93 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共12頁(yè)
- 描述:12-V P-Channel NexFET Power MOSFET
CSD23202W10技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Texas Instruments
- 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:DSBGA-4
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:P-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:12 V
- Id-連續(xù)漏極電流:2.2 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:92 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:900 mV
- Vgs - 柵極-源極電壓:6 V
- Qg-柵極電荷:3.8 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:1 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標(biāo)名:NexFET
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 高度:0.62 mm
- 長(zhǎng)度:1 mm
- 系列:CSD23202W10
- 晶體管類(lèi)型:1 P-Channel
- 寬度:1 mm
- 商標(biāo):Texas Instruments
- 正向跨導(dǎo) - 最小值:5.6 S
- 下降時(shí)間:21 ns
- 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
- 上升時(shí)間:4 ns
- 工廠包裝數(shù)量:3000
- 子類(lèi)別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:58 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:9 ns
- 單位重量:200 mg
購(gòu)買(mǎi)、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
CSD23202W10相關(guān)型號(hào)