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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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BSC0803LSATMA1 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大?。?.55 Mbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共12頁(yè)
- 描述：MOSFET N-CH 100V 10A/44A TDSON-6
BSC0803LSATMA1技術(shù)規(guī)格
- SeriesOptiMOS? 5
- PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel?
- FET TypeN-Channel
- TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 44A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs14.6mOhm @ 22A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 23μA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 4.5 V
- Vgs (Max)±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1300 pF @ 50 V
- FET Feature-
- Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 52W (Tc)
- Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting TypeSurface Mount
- Supplier Device PackagePG-TDSON-8-6
- Package / Case8-PowerTDFN
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