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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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BFU710F PDF資料
- 資料下載
- 制造商：PHILIPS[NXP Semiconductors]
- PDF文件大小：134.45 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共12頁
- 描述：NPN wideband silicon germanium RF transistor
BFU710F,115技術(shù)規(guī)格
- 晶體管類型：NPN
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：2.8V
- 頻率-躍遷：43GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同f時的典型值）：0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
- 功率-最大值：136mW
- 不同?Ic，Vce?時的DC電流增益（hFE）（最小值）：200 @ 1mA，2V
- 電流-集電極（Ic）（最大值）：10mA
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：4-DFP
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：2.8V
- 頻率 - 躍遷：43GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
- 功率 - 最大值：136mW
- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：200 @ 1mA，2V
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）：10mA
- 封裝/外殼：SOT-343F
- 供應(yīng)商器件封裝：4-DFP
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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