篩選結(jié)果：供應(yīng)商共有家隨時(shí)為您服務(wù)
- 供應(yīng)商
- 型號
- 品牌
- 封裝
- 批號
- 庫存數(shù)量
- 備注
- 詢價(jià)
-
深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
-
-
-
-
-
柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
-
-
-
-
更多收回
BCR562E6327HTSA1 PDF資料
- 資料下載
- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大小：523.88 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共6頁
- 描述：雙極晶體管 - 預(yù)偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
BCR562E6327HTSA1技術(shù)規(guī)格
- 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓
- 電阻器-發(fā)射極基底（R2）（歐姆）：4.7k
- 不同?Ic，Vce?時(shí)的DC電流增益（hFE）（最小值）：60 @ 50mA，5V
- 不同?Ib，Ic時(shí)的?Vce飽和值（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA
- 電流-集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
- 頻率-躍遷：150MHz
- Power-Max：330mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SOT23
- 封裝形式Package：SOT-23
- 極性Polarity：PNP
- 集電極最大允許電流Ic：500mA
- 集電極_發(fā)射極擊穿電壓VCEO：50V
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）：500mA
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
- 電阻器 - 基底（R1）：4.7 kOhms
- 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）：4.7 kOhms
- 功率 - 最大值：330mW
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT23-3
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
BCR562E6327HTSA1相關(guān)型號
