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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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BCR 135S H6327 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大?。?66.12 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共11頁(yè)
- 描述：雙極晶體管 - 預(yù)偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
BCR 135S H6327技術(shù)規(guī)格
- 數(shù)據(jù)列表：BCR135
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
- 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭：晶體管（BJT） - 陣列﹐預(yù)偏壓式
- 系列：-
- 包裝：帶卷（TR）
- 晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）：100mA
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
- 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）：10k
- 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）：47k
- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：70 @ 5mA，5V
- 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 500µA，10mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：-
- 頻率 - 躍遷：150MHz
- 功率 - 最大值：250mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT363-6
- 其它名稱：BCR 135S H6327-NDBCR135SH6327BCR135SH6327XTSA1SP000756248
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BCR 135S H6327相關(guān)型號(hào)
