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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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APTM100DDA35T3G PDF資料
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- 制造商：MICROSEMI[Microsemi Corporation]
- PDF文件大?。?91.85 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共6頁
- 描述：Dual Boost chopper MOSFET Power Module
APTM100DDA35T3G技術(shù)規(guī)格
- 數(shù)據(jù)列表：APTM100DDA35T3G Power Products Catalog
- 標準包裝：1
- 類別：分立半導體產(chǎn)品
- 家庭：FET - 模塊
- 系列：-
- 包裝：散裝
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓（Vdss）：1000V（1kV）
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：22A
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：420 毫歐 @ 11A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 2.5mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：186nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：5200pF @ 25V
- 功率 - 最大值：390W
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：SP3
- 供應商器件封裝：SP3
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