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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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APTM100A13SCG PDF資料
- 資料下載
- 制造商：MICROSEMI[Microsemi Corporation]
- PDF文件大?。?83.75 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共7頁
- 描述：Phase leg Series & SiC parallel diodes MOSFET Power Module
APTM100A13SCG技術(shù)規(guī)格
- 數(shù)據(jù)列表：APTM100A13SCG
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
- 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭：FET - 模塊
- 系列：-
- 包裝：散裝
- FET 類型：2 個(gè) N 通道（半橋）
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓（Vdss）：1000V（1kV）
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：65A
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：156 毫歐 @ 32.5A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 6mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：562nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：15200pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1250W
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：SP6
- 供應(yīng)商器件封裝：SP6
- 其它名稱：APTM100A13SCGMIAPTM100A13SCGMI-ND
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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