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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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APTGT100DH60T3G PDF資料
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- 制造商：MICROSEMI[Microsemi Corporation]
- PDF文件大小：202.03 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共5頁
- 描述：Asymmetrical - Bridge Trench Field Stop IGBT Power Module
APTGT100DH60T3G技術(shù)規(guī)格
- 數(shù)據(jù)列表：APTGT100DH60T3G
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
- 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭：IGBT - 模塊
- 系列：-
- IGBT 類型：溝道和場截止
- 配置：非對稱橋
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）：150A
- 功率 - 最大值：340W
- 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）：1.9V @ 15V，100A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：250µA
- 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）：6.1nF @ 25V
- 輸入：標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：是
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：SP3
- 供應(yīng)商器件封裝：SP3
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