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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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APTGLQ100H65T3G PDF資料
- 資料下載
- 制造商：Microsemi
- PDF文件大小：562.44 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共6頁
- 描述：IGBT 模塊
APTGLQ100H65T3G技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Microchip
- 產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
- 技術(shù):-
- 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
- 配置:Quad
- 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V
- 集電極—射極飽和電壓:1.85 V
- 在25 C的連續(xù)集電極電流:135 A
- 柵極—射極漏泄電流:150 nA
- Pd-功率耗散:350 W
- 封裝 / 箱體:SP3F
- 最小工作溫度:- 40 C
- 最大工作溫度:+ 125 C
- 封裝:Tube
- 商標(biāo):Microchip / Microsemi
- 安裝風(fēng)格:Chassis Mount
- 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
- 產(chǎn)品類型:IGBT Modules
- 工廠包裝數(shù)量:1
- 子類別:IGBTs
- 單位重量:110 g
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
APTGLQ100H65T3G相關(guān)型號(hào)
