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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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APT50GF120B2RG PDF資料
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- 制造商：Microsemi
- PDF文件大?。?26.10 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共6頁(yè)
- 描述：IGBT 模塊 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Single
APT50GF120B2RG技術(shù)規(guī)格
- 數(shù)據(jù)列表：APT50GF120(B2,L)R(G) Power Products Catalog
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
- 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭：IGBT - 單路
- 系列：-
- 包裝：管件
- IGBT 類(lèi)型：NPT
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）：135A
- 脈沖電流 - 集電極 (Icm)：150A
- 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）：3V @ 15V，50A
- 功率 - 最大值：781W
- 開(kāi)關(guān)能量：3.6mJ（開(kāi)）， 2.64mJ（關(guān)）
- 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：340nC
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：25ns/260ns
- 測(cè)試條件：800V，50A，1 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：-
- 封裝/外殼：TO-247-3 變式
- 安裝類(lèi)型：通孔
- 供應(yīng)商器件封裝：*
購(gòu)買(mǎi)、咨詢(xún)產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢(xún)價(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
APT50GF120B2RG相關(guān)型號(hào)
