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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
14年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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APT5010B2FLLG PDF資料
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- 制造商:Microsemi
- PDF文件大?。?06.76 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共5頁
- 描述:分立半導(dǎo)體模塊 Power FREDFET - MOS7
APT5010B2FLLG技術(shù)規(guī)格
- FET 類型:N 溝道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):500V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):46A(Tc)
- 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):95nC
- 電壓,耦合至柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):4360pF
- 電壓,耦合至輸入電容(Ciss)(最大) @ Vds:25V
- 功率耗散(最大值):520W(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 23A,10V
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2]
- 封裝/外殼:TO-247-3 變式
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
購買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
APT5010B2FLLG相關(guān)型號(hào)