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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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APT10045LLL PDF資料
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- 制造商：ADPOW[Advanced Power Technology]
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- PDF文件頁數(shù)：共2頁
- 描述：Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT10045LLLG技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Microchip
- 產(chǎn)品種類:分立半導(dǎo)體模塊
- 產(chǎn)品:Power MOSFET Modules
- 類型:MOSFET
- Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
- 安裝風(fēng)格:Through Hole
- 封裝 / 箱體:TO-264-3
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- 封裝:Tube
- 配置:Single
- 商標(biāo):Microchip / Microsemi
- 晶體管極性:N-Channel
- 下降時間:8 ns
- Id-連續(xù)漏極電流:23 A
- 工作電源電壓:670 V
- Pd-功率耗散:565 W
- 產(chǎn)品類型:Discrete Semiconductor Modules
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:450 mOhms
- 上升時間:5 ns
- 工廠包裝數(shù)量:1
- 子類別:Discrete Semiconductor Modules
- 典型關(guān)閉延遲時間:30 ns
- 典型接通延遲時間:10 ns
- Vds-漏源極擊穿電壓:1000 V
- Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
- 單位重量:10 g
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