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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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APT10026L2LLG PDF資料
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- 制造商：Microsemi
- PDF文件大小：103.50 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共5頁(yè)
- 描述：MOSFET Power MOSFET - MOS7
APT10026L2LLG技術(shù)規(guī)格
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：38A
- Drain to Source Voltage (Vdss)：1000V (1kV)
- FET Feature：Standard
- FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
- Gate Charge (Qg) @ Vgs：267nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) @ Vds：7114pF @ 25V
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-264
- Power - Max：893W
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：260 mOhm @ 19A, 10V
- Supplier Device Package：264 MAX? [L2]
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 5mA
- 包裝：3TO-264 MAX
- 通道模式：Enhancement
- 最大漏源電壓：1000 V
- 最大連續(xù)漏極電流：38 A
- RDS -于：260@10V mOhm
- 最大門源電壓：±30 V
- 典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：17 ns
- 典型上升時(shí)間：8 ns
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：39 ns
- 典型下降時(shí)間：9 ns
- 工作溫度：-55 to 150 °C
- 安裝：Through Hole
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：Rail / Tube
- 最大門源電壓：±30
- 歐盟RoHS指令：Compliant
- 最高工作溫度：150
- 最低工作溫度：-55
- 渠道類型：N
- 最大漏源電阻：260@10V
- 最大漏源電壓：1000
- 每個(gè)芯片的元件數(shù)：1
- 供應(yīng)商封裝形式：TO-264 MAX
- 最大功率耗散：893000
- 最大連續(xù)漏極電流：38
- 引腳數(shù)：3
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
APT10026L2LLG相關(guān)型號(hào)
