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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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ALD212908ASAL PDF資料
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- 制造商：ALD[Advanced Linear Devices]
- PDF文件大?。?11.27 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共12頁(yè)
- 描述：PRECISION N-CHANNEL EPAD MOSFET ARRAY DUAL HIGH DRIVE MATCHED PAIR
ALD212908ASAL技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Advanced Linear Devices
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:SOIC-8
- 通道數(shù)量:2 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:10 V
- Id-連續(xù)漏極電流:79 mA
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:14 Ohms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV
- Vgs - 柵極-源極電壓:10.6 V
- 最小工作溫度:0 C
- 最大工作溫度:+ 70 C
- Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)
- 配置:Dual
- 通道模式:Enhancement
- 商標(biāo)名:EPAD
- 封裝:Tube
- 系列:ALD212908A
- 晶體管類型:2 N-Channel
- 商標(biāo):Advanced Linear Devices
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 工廠包裝數(shù)量:50
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:10 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:10 ns
- 單位重量:85 mg
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