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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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2SD1060L-X-AB3-R PDF資料
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- 制造商：UTC[Unisonic Technologies]
- PDF文件大小：108.86 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共5頁
- 描述：NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR
2SD1060R-1E技術(shù)規(guī)格
- 標準包裝：50
- 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭：晶體管（BJT） - 單路
- 系列：-
- 包裝：管件
- 晶體管類型：NPN
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）：5A
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
- 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 300mA，3A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：100µA（ICBO）
- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：100 @ 1A，2V
- 功率 - 最大值：1.75W
- 頻率 - 躍遷：30MHz
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
2SD1060L-R-T92-B相關(guān)型號
