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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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深圳市芯冪科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790
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2DB1188P PDF資料
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- 制造商：DIODES[Diodes Incorporated]
- PDF文件大?。?35.57 Kbytes
- PDF文件頁數：共4頁
- 描述：PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
2DB1188P-13技術規(guī)格
- 制造商:Diodes Incorporated
- 產品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
- RoHS:是
- 安裝風格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:SOT-89-3
- 晶體管極性:PNP
- 配置:Single
- 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:32 V
- 集電極—基極電壓 VCBO:40 V
- 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
- 最大直流電集電極電流:2 A
- 增益帶寬產品fT:120 MHz
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- 系列:2DB11
- 高度:1.5 mm
- 長度:4.5 mm
- 封裝:Reel
- 寬度:2.48 mm
- 商標:Diodes Incorporated
- 直流集電極/Base Gain hfe Min:82
- Pd-功率耗散:1000 mW
- 產品類型:BJTs - Bipolar Transistors
- 工廠包裝數量:2500
- 子類別:Transistors
- 單位重量:52 mg
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