| 參數(shù) | 參數(shù)值 |
|---|---|
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制造商
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STMicroelectronics
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產品種類
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MOSFET
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RoHS
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是
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技術
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Si
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安裝風格
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Through Hole
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封裝 / 箱體
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TO-220FP-3
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通道數(shù)量
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1 Channel
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晶體管極性
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N-Channel
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Vds-漏源極擊穿電壓
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600 V
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Id-連續(xù)漏極電流
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11 A
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Rds On-漏源導通電阻
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310 mOhms
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Vgs th-柵源極閾值電壓
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3 V
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Vgs - 柵極-源極電壓
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25 V
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Qg-柵極電荷
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19 nC
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最小工作溫度
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- 55 C
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最大工作溫度
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+ 150 C
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Pd-功率耗散
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25 W
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配置
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Single
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通道模式
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Enhancement
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商標名
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MDmesh
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系列
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STF13N60DM2
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晶體管類型
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1 N-Channel
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商標
|
STMicroelectronics
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下降時間
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10.6 ns
|
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產品類型
|
MOSFET
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上升時間
|
4.8 ns
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工廠包裝數(shù)量
|
1000
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子類別
|
MOSFETs
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典型關閉延遲時間
|
42.5 ns
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典型接通延遲時間
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12.3 ns
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單位重量
|
2 g
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產品種類: MOSFET
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技術: Si
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