新聞詳細(xì)
世界上規(guī)模最大、水平最高的國際固態(tài)電路會議(ISSCC)將于2016年2月盛大登場，最新最重要的晶片研發(fā)成果都將首度在此發(fā)表，包括聯(lián)發(fā)科(MediaTek)將展示采用三叢集(Tri-Cluster)架構(gòu)搭載十核心的創(chuàng)新行動SoC、三星(Samsung)將在ISSCC 2016發(fā)表最新的10nm制程技術(shù)，臺積電還將在ISSCC中透露16nm FinFET制程的更多細(xì)節(jié)。
臺積電(TSMC)在今年初就宣布了10nm制程。據(jù)報導(dǎo)臺積電正為蘋果(Apple)下一代iPhone所用的處理器SoC加碼制程投入。三星與臺積電目前都是Apple iPhone SoC的主要供應(yīng)來源。盡管可能由于10nm晶片的某些關(guān)鍵層必須使用三重圖案而壓縮了利潤，但如果要爭取到蘋果訂單的話，臺積電與三星其實并沒有太多選擇。
全球最大的晶片制造商英特爾(Intel)已經(jīng)延遲推出10nm晶片的計劃，原因在于不斷攀升的成本與復(fù)雜度導(dǎo)致實現(xiàn)這一目標(biāo)所需的下一代微影技術(shù)持續(xù)延遲。
英特爾在ISSCC中，可能揭示在開發(fā)下一代晶片過程中日益增加的復(fù)雜度與成本等挑戰(zhàn)。英特爾制造部門總經(jīng)理William M. Holt表示：“由于我們不斷面對微縮帶來的挑戰(zhàn)，人們越來越擔(dān)心與質(zhì)疑摩爾定律(Moore’s Law)在邁向未來時的生命力。”
三星(Samsung)將于ISSCC中提供更多DRAM與快閃記憶體晶片細(xì)節(jié)，其中最重要的是一款采用10nm FinFET技術(shù)制程的128Mbit嵌入式SRAM。根據(jù)ISSCC主辦單位表示，該元件具有“迄今最小的SRAM位元單元，”高密度(HD)型晶片尺寸約0.040μm，而高電流(HD)晶片版本的尺寸約0.049μm。該設(shè)計支援“整合型輔助電路，可分別改善HD與HC位元單元的最小操作電壓(Vmin)至130mV與80mV。
The Linley Group微處理器分析師David Kanter表示，相較于三星0.064μm2的14nm SRAM，10nm晶片版縮小了0.63倍，當(dāng)然不盡理想；但相較于0.049μm2的英特爾(Intel)14nm SRAM，三星的記憶體單元則縮小了0.82倍，這是三星未在20nm與14nm之間微縮金屬規(guī)律的結(jié)果。但Kanter預(yù)計英特爾的10nm SRAM尺寸應(yīng)該會更小。