產(chǎn)品更改通知：MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
晶體管類型：2 NPN (Dual)
集電極電流（Ic）（最大）：4.5A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：15V
Vce飽和（最大）@ IB，IC：280mV @ 50mA, 4.5A
電流 - 集電極截止（最大）：25nA
直流電流增益（HFE）（最小值）@?IC，VCE：200 @ 3A, 2V
功率 - 最大：1.7W
頻率轉(zhuǎn)換：120MHz
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：8-MLP
供應(yīng)商器件封裝：8-MLP (3x2)
包裝材料
：Tape & Reel (TR);;其他的名稱；
集電極最大直流電流：5
最小直流電流增益：200@10mA@2V|300@0.2A@2V|200@3A@2V...
歐盟RoHS指令：Compliant
最高工作溫度：150
最大集電極基極電壓：40
最低工作溫度：-55
包裝高度：1(Max)
安裝：Surface Mount
最大功率耗散：3000
最大基地發(fā)射極電壓：7.5
Maximum Transition Frequency ：120(Typ)
封裝：Tape and Reel
PCB：8
每個芯片的元件數(shù)：2
包裝寬度：2
供應(yīng)商封裝形式：MLP
包裝長度：3
最大集電極發(fā)射極電壓：15
類型：NPN
引腳數(shù)：8
電流 - 集電極（ Ic）（最大）：4.5A
晶體管類型：2 NPN (Dual)
安裝類型：Surface Mount
頻率 - 轉(zhuǎn)換：120MHz
下的Vce飽和度（最大） Ib，Ic條件：280mV @ 50mA, 4.5A
電流 - 集電極截止（最大）：25nA
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：15V
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-MLP (3x2)
功率 - 最大：1.7W
封裝/外殼：8-MLP
直流電流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce時：200 @ 3A, 2V
其他名稱：ZXTDAM832TATR
RoHS指令：Contains lead / RoHS non-compliant
工廠包裝數(shù)量：3000
集電極 - 發(fā)射極飽和電壓：240 mV
產(chǎn)品種類：Transistors Bipolar - BJT
晶體管極性：NPN
發(fā)射極 - 基極電壓VEBO：7.5 V
最大功率耗散：1.5 W
直流集電極/增益hfe最小值：200 at 10 mA at 2 V, 300 at 0.2 A at 2 V, 200 at 3 A at 2 V, 150 at 5 A at 2 V
直流電流增益hFE最大值：200
增益帶寬產(chǎn)品fT：120 MHz
集電極 - 發(fā)射極最大電壓VCEO：15 V
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
集電極 - 基極電壓VCBO：40 V
最低工作溫度：- 55 C
集電極最大直流電流：5 A
配置：Dual
最高工作溫度：+ 150 C