Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
FET 型
：2 N-Channel (Dual)
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：60V
電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：2.5A
Rds（最大）@ ID，VGS：120 mOhm @ 2.5A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：5.7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：330pF @ 40V
功率 - 最大：1.25W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：RoHS Compliant
晶體管極性：N-Channel
漏源擊穿電壓：60 V
源極擊穿電壓：+/- 20 V
連續(xù)漏極電流：3.2 A
抗漏源極RDS （ ON）：0.18 Ohms
配置：Dual Dual Drain
最高工作溫度：+ 150 C
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝/外殼：SO-8
封裝：Reel
下降時(shí)間：3.5 ns
最低工作溫度：- 55 C
功率耗散：1.25 W
上升時(shí)間：3.5 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：8.2 ns
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：2.5A
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：120 mOhm @ 2.5A, 10V
FET型：2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大：1.25W
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
漏極至源極電壓（Vdss）：60V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：330pF @ 40V
閘電荷（Qg ） @ VGS：5.7nC @ 10V
封裝/外殼：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant