FET 類型N 溝道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）4A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）2.8nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）277pF @ 10V
功率耗散（最大值）1.35W（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）60 毫歐 @ 2.5A，4.5V
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝
供應商器件封裝DFN322
封裝/外殼3-VDFN
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs4.5V
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds10V
無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs