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產(chǎn)品種類MOSFET

晶體管極性P-Channel

汲極/源極擊穿電壓30 V

閘/源擊穿電壓+/- 20 V

漏極連續(xù)電流0.65 A

電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）600 mOhms

配置Single

最大工作溫度+ 150 C

安裝風(fēng)格Through Hole

封裝 / 箱體TO-92

封裝Bulk

下降時間15 ns

最小工作溫度- 55 C

功率耗散740 mW

上升時間15 ns

工廠包裝數(shù)量1000

典型關(guān)閉延遲時間25 ns