FET 類型P 溝道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）80V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）880mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 1mA
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）150pF @ 25V
功率耗散（最大值）6.25W（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）5 歐姆 @ 1A，10V
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型通孔
供應(yīng)商器件封裝TO-39
封裝/外殼TO-205AD，TO-39-3 金屬罐
無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs