晶體管類型1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
電流 - 集電極（Ic）（最大值）100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）50V
電阻器 - 基底（R1）47 千歐，4.7 千歐
電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）47 千歐，10 千歐
不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）80 @ 5mA，10V / 30 @ 5mA，10V
不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）250mV @ 300μA，10mA
電流 - 集電極截止（最大值）500nA
頻率 - 躍遷150MHz，80MHz
功率 - 最大值125mW
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼SOT-665
供應(yīng)商器件封裝SSMini5-F2
無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs